第三百零四章 谋划超S
乌光辉跟着发言道:
接下来,有请廉教授就下一代光刻机研发计划,做一下总体规划。”
廉安平教授拿出一份手写的稿子,清了清嗓子说道:
其中双工台、掩膜台、控制系统、晶圆传输系统,可以通过一微米光刻机的相关部件进行升级改造达成,难度不是太大。
但为了达到0.5微米的加工精度,光源系统和透镜系统需要重新设计,重新打造,这个难度不是一般的大。”
“一微米光刻机已经研发成功,并定型量产,在座的诸位功不可没。
但这一切都已经是过去式,接下来,咱们要在一微米光刻机的基础上,再接再厉,研发0.5微米制程的光刻机。
一位光学方面的专家发言道:
“光源波长越短,传播过程中越容易被透镜吸收。下一代0.5微米光刻机,如果依旧使用高压汞灯当光源,使用现在的透镜组合就足够了,顶多加工精度再提高一些。
这个价格只有国外同类产品的三分之一左右,可谓是物美价廉。
我代表维创电子公司表个态,不管研发过程中遭遇怎样的困难,需要投入几亿,十几亿,甚至几十亿的研发资金,我们维创电子也在所不惜。
表彰大会之后,刘焱召集全体光刻机研发室实验室成员,召开了一个研讨会,对下一步的研发计划和研发方向进行了部署。
在研讨会上,刘焱代表维创电子公司率先发言,说道:
刘焱当初投资研发光刻机,本来就没想过依靠它盈利,量产型号的光刻机,对外售价只有百万人民币。
“我是搞激光技术出身,在光刻机光源方面有一定研究。光刻分辨率想要达到0.5微米,光源波长需要达到365nm以下,且对光源强度和均匀度都有非常严格的要求。咱们在一微米光刻机上使用的高压汞灯,理论上其极限能达0.35微米的加工精度,但需要对其结构进行彻底的改造,且越是接近极限,越难以达成。
而被业界普遍认定是下一代光刻机光源的KrF(氟化氪)准分子激光,光源波长为248nm,可以使最小工艺节点提升至350-180nm水平。当今世界上,很多激光相关的研究所,都在对准分子激光进行研发,进度参差不齐,达到实用水平的,一个都没有。
我的建议是,在光刻机光源方面,两种线路同时研发,哪个率先取得突破,下一代0.5微米光刻机上,就使用哪一种光源。”
“当初刘老板提供的光刻机研发资料中,有一份0.5微米光刻机研发概要,点明了几个研发要点,包括光源,透镜系统,双工台,掩模台等等。
可惜这年月,内地的晶圆工厂大多不成气候,后续订单就算有,也不会有太多。
好在维创电子公司自己就有晶圆工厂,且盈利丰厚,只要自产光刻机能完美替代进口产品,且能跟随摩尔定律不断升级进化,花再多的研发资金也是值得。
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